几十年来，芯片一直依赖有序金氧半导体电路（CMOS）技术。虽然CMOS电子元件仍遵循摩尔定律，但随着元件大小更加相似单个原子尺寸，现有的芯片制程技术早已更加迫近了物理无限大。例如，宽度为10nm的晶体管栅极结构，其容许误差仅有为1nm，这仅有相等于3至4个原子层的厚度。

而芯片制程要之后往3nm甚至是1nm制程前进将面对更好的艰难，迅速摩尔定律有可能将难以为继。沿袭“摩尔定律”的新技术而为了推展摩尔定律在未来的继续前进，以及有可能的后摩尔时代的来临，英特尔很早已开始大力研究如纳米线晶体管、III－V材料（如砷化镓和磷化铟）晶体管、硅晶片的3D填充、高密度内存、（EUV）光刻技术、磁矩电子（一种打破CMOS的技术，当CMOS无法再行展开微缩的时候，这是一种自由选择，可获取十分密集和低功耗的电路）、神经元计算出来等一些佩前沿技术项目。神经拟态计算出来芯片Loihi早在去年9月底的时候，英特尔就发布了其首款神经拟态计算出来（类脑）芯片Loihi，这是全球首款具备自我自学能力的芯片。

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